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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5335AE3/TR12由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5335AE3/TR12价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5335AE3/TR12封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5335AE3/TR12参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5335AE3/TR12 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)的1N5335AE3/TR12是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该型号的齐纳电压为6.2V,功率额定值为5W,采用DO-204AL(DO-35)封装,具有良好的稳定性和可靠性。 1N5335AE3/TR12主要应用于需要稳定参考电压或过压保护的电子电路中。常见应用场景包括: 1. 电压参考源:在电源管理、模拟电路和稳压电源中,作为高精度电压基准,确保电路工作稳定。 2. 过压保护:用于保护敏感元器件(如集成电路、晶体管等)免受瞬态电压或浪涌电压的损害,广泛应用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中。 3. 电源钳位电路:在DC-DC转换器、开关电源等电路中,限制输出电压波动,提高系统安全性。 4. 信号调理电路:在传感器接口或信号传输线路中,用于钳制信号电平,防止信号失真。 由于其高功率耗散能力和稳定的电压特性,1N5335AE3/TR12适用于对可靠性和稳定性要求较高的工业、汽车电子及通信领域。此外,该器件符合AEC-Q101车规标准,也适合在汽车电子系统中使用,如车载电源模块或电子控制单元(ECU)中的电压保护。 总之,1N5335AE3/TR12是一款高性能齐纳二极管,广泛应用于电源稳压、电压参考和电路保护等关键场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 5.0W 3.9V 10% T-18 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N5335AE3/TR12 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 1A |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | T-18 |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±10% |
| 封装/外壳 | T-18,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 3.9V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 2 欧姆 |