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  • 型号: 1N5334BE3/TR8
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5334BE3/TR8由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5334BE3/TR8价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5334BE3/TR8封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5334BE3/TR8参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5334BE3/TR8 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5334BE3/TR8是一款齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管类型。该器件广泛应用于需要电压参考和稳压功能的电路中。

其主要应用场景包括:

1. 电源稳压电路:作为基准电压源,用于线性稳压器或开关电源中,确保输出电压稳定。

2. 电压检测与保护电路:在过压保护、欠压锁定等电路中用作电压检测元件,提升系统安全性。

3. 信号调理电路:在模拟电路中提供稳定的参考电压,用于运算放大器偏置、比较器参考等。

4. 电池管理系统:用于电池充电控制和电压监测,保障电池安全运行。

5. 工业控制与通信设备:在PLC、传感器、通信模块中提供精确电压基准,确保系统精度与稳定性。

该型号采用表面贴装封装(如SOD-123),适合高密度PCB布局,具备良好的热稳定性和响应速度,适用于消费电子、工业控制、通信及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 5.0W 3.6V 5% T-18

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5334BE3/TR8

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.2V @ 1A

不同 Vr时的电流-反向漏电流

150µA @ 1V

供应商器件封装

T-18

功率-最大值

5W

包装

带卷 (TR)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

T-18,轴向

工作温度

-65°C ~ 150°C

标准包装

1,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

阻抗(最大值)(Zzt)

2.5 欧姆

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