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产品简介:
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Microsemi Corporation(现为Microchip子公司)的1N5274BDO35E3是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压参考和稳压应用,适用于需要稳定电压输出的电子电路中。 该型号齐纳二极管的齐纳电压为35V,功率耗散能力较强,适合用于中高电压稳压场合。其典型应用场景包括: 1. 电源电路中的电压参考:在开关电源、线性稳压器或DC-DC转换器中,作为基准电压源,为控制系统提供稳定参考点。 2. 过压保护电路:用于限制电路中的电压,防止因电压过高而损坏敏感元件,常见于电源输入端或信号输入保护电路中。 3. 电压钳位电路:在通信或信号处理电路中,用于限制信号幅度,防止超出系统允许范围,保护后级电路。 4. 测试与测量设备:用于校准仪器中的电压基准模块,确保测量精度。 5. 工业控制与自动化系统:在PLC、传感器供电电路中提供稳定电压,确保系统稳定运行。 该器件采用DO-35封装,具备良好的热稳定性和可靠性,适用于工业级工作温度范围,适合在各种中高要求的电子系统中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | DIODE ZENER 130V 500MW DO35 |
产品分类 | 单二极管/齐纳 |
品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 1N5274BDO35E3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 99V |
供应商器件封装 | DO-35 |
其它名称 | 1N5274BDO35E3MSCT |
功率-最大值 | 500mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 通孔 |
容差 | ±5% |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
工作温度 | -65°C ~ 175°C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 130V |
阻抗(最大值)(Zzt) | 1100 欧姆 |