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  • 型号: 1N5264BDO35
  • 制造商: American Microsemiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供1N5264BDO35由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5264BDO35价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N5264BDO35封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5264BDO35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5264BDO35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现属于Microchip Technology)的1N5264BDO35是一款齐纳二极管,属于1N52xx系列,标称齐纳电压为30V,功率为500mW。该型号采用DO-35封装,适用于需要稳定参考电压或过压保护的小型电子电路。

1N5264BDO35主要应用于以下场景:  
1. 电压参考源:在电源管理电路、稳压电源或模拟电路中提供精确的30V基准电压,确保系统工作稳定。  
2. 过压保护:常用于信号线或电源输入端,防止瞬态高压损坏敏感元器件,如IC、传感器等。  
3. 浪涌抑制:在通信设备、工业控制和消费类电子产品中,抑制静电放电(ESD)或电压尖峰。  
4. 反馈电路:在开关电源(SMPS)中作为反馈回路的一部分,协助调节输出电压。  

由于其体积小、响应速度快、稳定性高,1N5264BDO35广泛应用于便携式设备、嵌入式系统、仪器仪表及汽车电子等领域。同时,DO-35玻璃封装具有良好的可靠性和散热性能,适合通孔安装,在中小功率应用中表现出色。  

需要注意的是,使用时应确保工作电流在规定范围内,避免超过最大功耗,并配合限流电阻使用以提高可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 60V 500MW DO35

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

Microsemi Commercial Components Group

数据手册

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产品图片

产品型号

1N5264BDO35

rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

1.5V @ 200mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

100nA @ 46V

产品目录绘图

供应商器件封装

DO-35

其它名称

1N5264B(DO-35)MSCT
1N5264BDO35MSCT
1N5264BDO35MSCT-ND
1N5264BMSCT
1N5264BMSCT-ND
1N5264DO35MSCT
1N5264DO35MSCT-ND

功率-最大值

500mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

通孔

容差

±5%

封装/外壳

DO-204AH,DO-35,轴向

工作温度

-65°C ~ 175°C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

60V

阻抗(最大值)(Zzt)

170 欧姆

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