Datasheet下载- 型号： 1N5263B-TAP
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5263B-TAP由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5263B-TAP价格参考。Vishay1N5263B-TAP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N5263B-TAP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N5263B-TAP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5263B-TAP 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的单齐纳二极管，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 - 该型号的齐纳二极管主要用于电路中的电压稳压。通过将齐纳二极管反向连接到电路中，可以确保在其齐纳击穿电压（对于 1N5263B-TAP 为 5.1V）下提供稳定的输出电压。 - 应用实例：在电源电路中，用于稳定辅助电源电压，保护后续电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护 - 在电子设备中，1N5263B-TAP 可以用来防止输入电压过高。当输入电压超过齐纳电压时，二极管会导通并将多余的能量泄放到地。 - 应用实例：保护敏感的模拟或数字输入端口，避免因瞬态高压导致损坏。 3. 信号电平调整 - 齐纳二极管可用于限制信号电平，确保信号在特定范围内工作。例如，在音频或射频电路中，1N5263B-TAP 可以用来削波或箝位信号。 - 应用实例：在通信电路中，用于限制输入信号幅度，防止过载。 4. 参考电压源 - 由于齐纳二极管具有稳定的击穿电压特性，1N5263B-TAP 可用作简单的参考电压源，为比较器、运放等电路提供基准电压。 - 应用实例：在模拟电路中，为 ADC 或 DAC 提供稳定的参考电压。 5. 浪涌吸收 - 在开关电路或电机驱动电路中，齐纳二极管可以吸收由于感性负载引起的电压浪涌，保护电路中的其他元件。 - 应用实例：在继电器驱动电路中，与续流二极管配合使用，抑制反电动势。 6. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的温度特性可以与其他元件结合，设计出温度补偿电路，确保系统在不同温度下的性能稳定。 - 应用实例：在精密测量仪器中，用于校正温度变化对电路性能的影响。 总结来说，1N5263B-TAP 适用于需要简单、可靠且低成本解决方案的场景，尤其是在低功率电路中。其 5.1V 的齐纳电压和 1W 的额定功率使其成为许多基础电子应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 56V 500MW DO35稳压二极管 56 Volt 0.5W 5% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N5263B-TAP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5263B-TAP1N5263B-TAP |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 43V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5263B-TAPCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 150 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 56V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.096 %/K |
| 系列 | 1N52xxB |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 150 欧姆 |
| 齐纳电压 | 56 V |
| 齐纳电流 | 2.2 mA |
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