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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5239B-TR由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5239B-TR价格参考。Vishay1N5239B-TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5239B-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5239B-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
1N5239B-TR 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - 1N5239B-TR 的齐纳击穿电压为 6.8V,常用于电路中提供稳定的参考电压。例如,在电源电路中,它可以与电阻配合使用,将输入电压稳定在 6.8V 左右,保护后续电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护 - 在某些电子设备中,可能会出现瞬时高电压的情况(如电感负载的反向电动势)。1N5239B-TR 可以用来吸收这些瞬时高压,保护敏感元件不被损坏。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,1N5239B-TR 可用于限制信号的最大幅度,确保信号电平保持在安全范围内。例如,在音频或通信电路中,它可以防止信号过载。 4. 基准电压源 - 由于其稳定的击穿电压特性,1N5239B-TR 可作为简单的基准电压源,用于比较器、运算放大器等需要精确电压参考的电路中。 5. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有漂移。1N5239B-TR 可与其他温度特性相反的元件(如普通二极管)结合使用,实现温度补偿功能。 6. 简单电源设计 - 在一些低成本、低功耗的应用中,1N5239B-TR 可与电阻串联组成简易稳压电路,为小型电子设备提供稳定的直流电压。 注意事项: - 使用时需注意其最大功率耗散(通常为 0.5W),避免超过额定值导致器件损坏。 - 应根据实际工作电流选择合适的限流电阻,以确保齐纳二极管正常工作在击穿区域。 总之,1N5239B-TR 是一款通用型齐纳二极管,广泛应用于各种需要电压稳定和保护的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 500MW 9.1V DO35稳压二极管 9.1 Volt 0.5 Watt |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors 1N5239B-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5239B-TR1N5239B-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5239BGITR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | 175°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.068 %/K |
| 系列 | 1N52xxB |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 9.1 V |
| 齐纳电流 | 20 mA |