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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5235B-T由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5235B-T价格参考。Diodes Inc.1N5235B-T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5235B-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5235B-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为1N5235B-T、由Diodes Incorporated生产的齐纳二极管,属于单颗齐纳二极管,主要应用于电压调节与稳压电路中。该器件常用于需要稳定参考电压的电子系统中,例如电源管理模块、电池充电器、电压监测电路及嵌入式控制系统等。由于其具有稳定的击穿电压(标称值为6.8V)和较小的动态电阻,可确保在负载变化时仍保持输出电压稳定,因此广泛应用于工业控制设备、消费类电子产品、通信设备及汽车电子中。此外,它也可用于过压保护电路中,为敏感电子元件提供保护。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35稳压二极管 500MW 6.8V |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated 1N5235B-T- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N5235B-T |
| PCN过时产品 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N5235BCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 5 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 0.05 %/C |
| 系列 | 1N5235 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 5 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.8 V |