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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4768A由American Microsemiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4768A价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N4768A封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N4768A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N4768A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation(现为Microchip Technology旗下品牌)生产的1N4768A是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类型。其主要功能是在电路中提供稳定的参考电压或实现电压钳位保护。 1N4768A的标称齐纳电压为100V,常用于需要高压稳压或电压限制的电路中。典型应用场景包括: 1. 电压参考源:在电源管理、测量仪器或控制系统中,作为高电压参考点,确保电路在设定电压下稳定工作。 2. 过压保护:用于保护敏感电子元件免受瞬态高压或浪涌电压的损害,如在电源输入端或信号线路中作为钳位器件。 3. 浪涌抑制电路:与压敏电阻或其他保护器件配合使用,在通信设备、工业控制系统中吸收瞬态能量,防止设备损坏。 4. 高压稳压电路:在某些高压电源或测试设备中,作为稳压环节,维持输出电压的稳定。 由于其100V的齐纳电压较高,1N4768A适用于需要高电压稳定与保护的场合,常见于工业控制、通信设备、测试仪器、电源模块等领域。其封装形式为DO-41,便于在各类电路中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-35 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5828-1n4765-4774-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N4768A |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | - |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 100°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 350 欧姆 |