Datasheet下载- 型号： 1N4148-TAP
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N4148-TAP由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N4148-TAP价格参考。Vishay1N4148-TAP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N4148-TAP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N4148-TAP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division生产的1N4148-TAP二极管属于“二极管 - 整流器 - 单”类别，是一种常见的硅开关二极管。它广泛应用于以下场景： 1. 信号整流 - 用于低功率电路中的交流信号整流，将交流电转换为直流电。 - 适合需要快速响应和较低正向电压降的应用。 2. 保护电路 - 在电路中用作反向电压保护，防止电源极性接反导致的器件损坏。 - 提供瞬态电压抑制功能，保护敏感元件免受过压冲击。 3. 开关应用 - 利用其快速开关特性，在数字电路中作为逻辑电平转换或开关元件。 - 可用于高频脉冲信号的处理。 4. 钳位电路 - 在模拟和数字电路中用作电压钳位，限制信号电压在特定范围内。 - 防止信号超出器件的工作范围，避免损坏。 5. 浪涌保护 - 用于吸收感性负载（如继电器、线圈）断开时产生的反向电动势，保护驱动电路。 6. 高频检波 - 在射频（RF）和音频电路中，用于信号检波或调制解调。 7. 分立元件设计 - 作为标准通用二极管，适用于各种分立元件设计，例如测试和开发环境。 特点总结： - 正向电流：额定值为200mA，适合低功率应用。 - 反向电压：最高75V，适用于一般低压电路。 - 快速恢复时间：约4ns，适合高频开关应用。 - 可靠性高：Vishay品牌保证了产品的稳定性和一致性。 因此，1N4148-TAP二极管在消费电子、通信设备、工业控制等领域有着广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SWITCHING 75V 0.3A DO35二极管 - 通用，功率，开关 vR/100V Io/150mA |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay Semiconductor Diodes DivisionVishay Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,二极管 - 通用，功率，开关,Vishay Semiconductors 1N4148-TAP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | 1N4148-TAP1N4148-TAP |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 10mA |
| 不同 Vr、F时的电容 | 4pF @ 0V，1MHz |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 25nA @ 20V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Switching Diodes |
| 产品种类 | 二极管 - 通用，功率，开关 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | 1N4148-TAPTB |
| 包装 | 带盒（TB） |
| 反向恢复时间(trr) | 8ns |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Ammo Pack |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35-2 |
| 峰值反向电压 | 100 V |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 150°C |
| 工作温度范围 | - 65 C to + 175 C |
| 工厂包装数量 | 50000 |
| 恢复时间 | 8 ns |
| 最大二极管电容 | 4 pF |
| 最大功率耗散 | 500 mW |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大浪涌电流 | 2 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 正向电压下降 | 1 V |
| 正向连续电流 | 0.3 A |
| 热阻 | 350°C/W Ja |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 75V |
| 电流-平均整流(Io) | 300mA（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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