Datasheet下载- 型号： 1N3016BUR-1
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供1N3016BUR-1由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N3016BUR-1价格参考。American Microsemiconductor, Inc.1N3016BUR-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载1N3016BUR-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有1N3016BUR-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation 的 1N3016BUR-1 是一款齐纳二极管（Zener Diode），属于单齐纳二极管类别。该器件主要用于电压稳压、电压参考和电路保护等应用场景。 在电子电路中，1N3016BUR-1 常用于提供稳定的参考电压，适用于电源管理模块、模拟电路中的基准源以及信号调节电路。其额定齐纳电压为约5.1V，适合用于TTL或CMOS逻辑电路的电平钳位与保护，防止因电压波动导致的器件损坏。 此外，该型号具备较高的可靠性和稳定性，因此广泛应用于工业控制设备、通信系统、仪器仪表和航空航天等对元器件性能要求较高的领域。由于其封装形式（通常为DO-35或类似玻璃封装）具有良好的散热性能和较小的体积，也适合用于空间受限的高密度电路板设计。 1N3016BUR-1 还可用于过压保护电路中，作为瞬态电压抑制的辅助元件，与TVS二极管或其他保护器件配合使用，提升系统的电磁兼容性（EMC）和抗干扰能力。 综上所述，Microsemi 的 1N3016BUR-1 齐纳二极管主要应用于需要精确稳压、电压参考及电路保护的中低功率电子系统中，尤其适用于高可靠性与长期稳定性要求较高的工业和通信场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.8V 1W DO-213AB |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | Microsemi Commercial Components Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/5787-1n3016bur-pdf |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 1N3016BUR-1 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.2V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 150µA @ 5.2V |
| 供应商器件封装 | DO-213AB |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-213AB，MELF |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.8V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 3.5 欧姆 |
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