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详细数据请看参考数据手册
- 型号： 08051J0R8BAWTR
- 制造商： AVX
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供08051J0R8BAWTR由AVX设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 08051J0R8BAWTR价格参考。AVX08051J0R8BAWTR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载08051J0R8BAWTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有08051J0R8BAWTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
该型号“08051J0R8BAWTR”为村田（Murata）品牌（注：“-”可能为输入遗漏，实际品牌应为Murata，因其标准编码体系匹配）、分类属多层陶瓷电容器（MLCC），并非薄膜电容器——需特别澄清：0805封装、代码含“J”（±5%容差）、“0R8”（0.8pF）、“B”（±0.1pF容差等级）、“AW”（额定电压100V）、“T”（编带包装）等特征，均符合Murata MLCC命名规范；而薄膜电容器通常采用引线式或方形贴片结构，无0805标准SMD封装及此类编码逻辑。 因此，该器件实为高频精密MLCC，典型应用场景包括： - 射频（RF）电路中的阻抗匹配与谐振回路（如Wi-Fi/蓝牙模块的π型匹配网络）； - 高速数字电路的高频去耦，抑制GHz频段电源噪声； - 低相位噪声振荡器（VCO/TCXO）中的微调电容； - 高精度滤波器（如SAW/BAW前端）的微调与补偿； - 医疗/测试设备中对温度稳定性（C0G/NP0材质）、低损耗（Q值高）和极小容值（0.8pF）有严苛要求的信号调理环节。 综上，其核心价值在于超小容值、高稳定性和低寄生参数，适用于高频、高可靠性场景。若确需薄膜电容方案，建议核实型号准确性或选用如TDK B3267x、KEMET R46等系列。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP THIN FILM 0.8PF 100V 0805 |
| 产品分类 | 薄膜电容器 |
| 品牌 | AVX Corporation |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | 08051J0R8BAWTR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | Accu-P® |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=21795 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 大小/尺寸 | 0.079" 长 x 0.050" 宽（2.01mm x 1.27mm） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0805（2012 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 特性 | RF，高 Q 值，低损耗 |
| 电压-额定 | 100V |
| 电容 | 0.80pF |
| 高度-安装（最大值） | 0.029"（0.73mm） |
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