游隼半导体(pSemi)

在 pSemi，我们设计和制造创新的半导体解决方案。我们把“做不到”的东西先变成一个行业。无论是尖端的设计技术、变革性的架构还是新颖的技术平台，我们的团队都在探索使电子产品更小、更薄、更快和更高效的新方法。

我们的射频、电源管理和传感器产品被设计成全球数百万人使用的设备。您会在您的智能手机、电缆调制解调器、笔记本电脑和您附近的新 5G 基站中找到我们的集成电路。

我们的总部位于圣地亚哥，在三大洲设有办事处，并拥有一支全球销售团队来为我们的客户提供支持。我们的办公室位于全球主要的技术中心，以支持我们不断壮大的优秀电气工程师团队。 

我们为互联世界打造智能电子产品。

三十年前，我们的创始人着手实现业界认为不可能实现的目标：将射频 (RF) 绝缘体上硅 (SOI) 技术商业化。在克服性能障碍和解决技术挑战后，SOI 已成为主流，硅射频前端的愿景已转变为现实。

我们围绕 SOI 技术、射频开关和天线调谐器的颠覆性创新为邻近市场的新产品铺平了道路。我们的工程师每天都在不断挑战“不可能”。我们突破集成和性能的极限，使我们的产品能够超越今天和明天的市场规格。

我们很荣幸成为近 75,000 名正在塑造电子产品未来的村田员工中的一员。作为一家村田公司，pSemi 充分利用了村田制造和技术领先地位的广度，同时保持了一定程度的自主权，从而加速了我们的半导体创新之路。我们的运作更像是一家电子巨头支持的加速器——创新、稳定性和规模的完美结合。

我们引领村田在新的半导体增长市场的努力，并推动村田的半导体集成。这种组合创新通过制造更小、更轻、更薄和更高效的组件，为许多应用增加了价值。

一流的解决方案

半导体技术

pSemi 在领先的半导体技术开发方面拥有 30 年的历史。从 RF SOI 的发明到我们在 RF 前端的创新，我们的团队不断将“做不到”的事情转化为行业第一。在为 RF 应用推进 SOI 数十年之后，我们现在很容易应用其他半导体技术来进一步优化我们的产品供应。我们专注于流程和整体解决方案。我们继续开发定制工艺——就像在我们专有的 UltraCMOS® 技术平台中一样——但我们也利用现成的技术。我们的团队评估每个解决方案，并使用最先进的半导体技术的最佳组合来满足市场需求。

绝缘体上硅发明

UltraCMOS® 技术

我们的 UltraCMOS® 技术是一种获得专利的高级绝缘体上硅 (SOI) 技术，使 pSemi 能够提供市场领先的大信号和小信号性能组合。凭借其出色的射频和微波特性，SOI 为集成提供了理想的衬底。与最广泛使用的半导体技术大容量 CMOS 配合使用时，结果是一个可靠、可重复的技术平台，与其他混合信号工艺相比，它提供了卓越的性能。

SOI 创新 30 年

我们的团队率先将 SOI 用于使用蓝宝石衬底的 RF 应用，因为它们具有超纯和近乎完美的绝缘体品质。今天，我们在 SOI 工艺技术方面保持领先优势。我们的工艺开发是定制的，我们的工艺选择灵活可控，我们的周期时间和质量得到了证明。

卓越的射频性能

我们的 UltraCMOS 技术平台在 RonCoff 性能方面处于行业领先地位。RonCoff 是 RF 开关的关键性能指标，它被控制为“开启”（电阻器）或“关闭”（电容器）。低电阻 (Ron) 可降低插入损耗，而低电容 (Coff) 可提高隔离度。在 RF 切换中，当两个指标都尽可能低时，性能最佳。

持续优化

凭借每一代 UltraCMOS 技术平台，我们进一步优化技术以满足最新的市场需求。我们的 UltraCMOS 13 平台由大批量 300 毫米代工厂制造，面向 5G-NR 低于 6 GHz 应用。它为我们的低噪声放大器 (LNA)、功率放大器 (PA) 和开关提供了增强的性能，包括用于 PA 的超低泄漏 FET、用于 LNA 的较低 NFmin、用于开关的高功率处理以及优化的模拟和数字支持。