【未分类_ZTX857STZ】封装/厂家_ZTX857STZ中文资料_价格

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型号： ZTX857STZ
制造商： Diodes Inc.
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供ZTX857STZ由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZTX857STZ价格参考。Diodes Inc.ZTX857STZ封装/规格：未分类，暂无。您可以下载ZTX857STZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZTX857STZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ZTX857STZ是Diodes Incorporated生产的一款双极性晶体管（BJT），属于NPN型晶体管，常用于高电流和高功率应用。该晶体管具有较高的集电极电流（Ic）和功率耗散能力，适用于需要驱动大负载的场景。

其主要应用场景包括：

1. 电源开关电路：ZTX857STZ可用于DC-DC转换器、电源管理模块中，作为高电流开关，控制电源的通断。

2. 马达驱动：由于其高电流承载能力，适用于小型电机、风扇、泵等驱动电路中，作为功率开关使用。

3. 继电器驱动：在需要控制高功率继电器的电路中，该晶体管可作为继电器线圈的驱动元件。

4. LED照明驱动：用于高亮度LED或LED阵列的开关控制，尤其在汽车照明或工业照明系统中。

5. 音频放大器：作为音频功率放大电路中的输出级，用于放大信号驱动扬声器。

6. 工业控制设备：如PLC、工业自动化设备中，用于控制执行机构（如电磁阀、加热元件等）。

ZTX857STZ采用SOT-223封装，散热性能良好，适合在中高功率应用中使用。其高可靠性和性价比使其广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANSISTOR NPN MED PWR E-LINE两极晶体管 - BJT NPN Big Chip SELine
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	Diodes Incorporated
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZTX857STZ-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	ZTX857STZ
RoHS指令信息	http://diodes.com/download/4349
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 600mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 500mA，10V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	E-Line（TO-92 兼容）
其它名称	ZTX857STZ-ND
功率-最大值	1.2W
包装	带盒（TB）
发射极-基极电压VEBO	6 V
商标	Diodes Incorporated
增益带宽产品fT	80 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Bulk
封装/外壳	E-Line-3
封装/箱体	TO-92
工厂包装数量	2000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	1.2 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	2,000
电压-集射极击穿（最大值）	300V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	1µA （ICBO）
直流电流增益hFE最大值	100 at 10 mA at 5 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	100 at 10 mA at 5 V, 100 at 500 mA at 10 V, 15 at 2 A at 10 V
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	300 V
集电极—基极电压VCBO	330 V
集电极连续电流	3 A
频率-跃迁	80MHz