Datasheet下载- 型号： VT1045BP-M3/4W
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VT1045BP-M3/4W由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VT1045BP-M3/4W价格参考。VishayVT1045BP-M3/4W封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VT1045BP-M3/4W参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VT1045BP-M3/4W 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Semiconductor Diodes Division 的 VT1045BP-M3/4W 是一款二极管 - 整流器 - 单类型产品，其主要应用场景包括以下几类： 1. 电源电路中的整流功能 - 应用领域：开关电源（SMPS）、线性电源、适配器等。 - 作用：VT1045BP-M3/4W 可用于将交流电转换为直流电的整流电路中。它具有低正向压降和高效率的特点，适合需要高效能量转换的应用场景。 2. 逆变器和电机驱动 - 应用领域：家用电器（如空调、冰箱）、工业电机驱动、太阳能逆变器。 - 作用：在逆变器和电机驱动电路中，该二极管可用于续流保护，防止反向电流对电路造成损害，同时提高系统的稳定性和可靠性。 3. 保护电路 - 应用领域：电池充电器、汽车电子设备、通信设备。 - 作用：VT1045BP-M3/4W 能够在电路中提供反向电压保护，避免因电源极性接反或其他异常情况导致的设备损坏。 4. 高频开关电路 - 应用领域：DC-DC 转换器、LED 驱动电路。 - 作用：该二极管具有快速恢复时间特性，适用于高频开关电路中的整流或同步整流功能，确保电路在高频条件下正常运行。 5. 汽车电子系统 - 应用领域：车载充电器、发动机控制单元（ECU）、车载娱乐系统。 - 作用：VT1045BP-M3/4W 的高可靠性和耐高温性能使其非常适合汽车环境下的应用，能够承受恶劣的工作条件，如温度变化和振动。 总结 VT1045BP-M3/4W 凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、保护电路以及汽车电子等领域。它的高性能表现使其成为许多现代电子设备中不可或缺的组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220AC肖特基二极管与整流器 10A 45V TrenchMOS |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,肖特基二极管与整流器,Vishay Semiconductors VT1045BP-M3/4WTMBS® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VT1045BP-M3/4WVT1045BP-M3/4W |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 680mV @ 10A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 500µA @ 45V |
| 二极管类型 | 肖特基 |
| 产品 | Schottky Rectifiers |
| 产品种类 | 肖特基二极管与整流器 |
| 供应商器件封装 | TO-220AC |
| 其它名称 | VT1045BPM34W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-2 |
| 封装/箱体 | TO-220-2 |
| 峰值反向电压 | 45 V |
| 工作温度-结 | 200°C （最大） |
| 工作温度范围 | - 40 C to + 150 C |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | Silicon |
| 最大反向漏泄电流 | 500 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大浪涌电流 | 100 A |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向电压下降 | 0.52 V |
| 正向连续电流 | 10 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 45V |
| 电流-平均整流(Io) | 10A（DC） |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Dual |
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