Datasheet下载- 型号： VS-1N1185R
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VS-1N1185R由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VS-1N1185R价格参考。VishayVS-1N1185R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VS-1N1185R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VS-1N1185R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VS-1N1185R是Vishay Intertechnologies推出的高压硅整流二极管（单管），主要应用于需要高反向耐压与可靠整流的工业电源系统中。其典型反向重复峰值电压（VRRM）高达1000V，平均正向整流电流（IF(AV)）为1.5A，具备良好的浪涌电流承受能力（IFSM达50A），结温范围宽（-65℃～+175℃），适用于严苛环境。 该器件常用于： 🔹 高压直流电源的输入整流桥（作为单臂或替换元件）； 🔹 工业控制设备中的AC/DC转换器、开关电源（SMPS）初级侧整流； 🔹 电焊机、UPS不间断电源、电机驱动器等对可靠性要求高的功率变换环节； 🔹 高压电容充电电路及脉冲电源中的单向导通与能量箝位； 🔹 替代传统1N118x系列（如1N1183–1N1190）的升级选型，提供更优温度稳定性与一致性。 其玻璃钝化PN结结构确保低漏电流和长期热稳定性，TO-204AA（DO-4）金属外壳封装利于散热与机械固定，适合通孔焊接及高功率密度布局。需注意：实际应用中应配合足够散热器，并留有电压/电流裕量（建议VRRM ≥ 1.5×峰值输入电压），避免在接近极限参数下持续工作以保障寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE GEN PURP 150V 35A DO203AB整流器 150 Volt 35 Amp |
| 产品分类 | 单二极管/整流器分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,整流器,Vishay Semiconductors VS-1N1185R- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VS-1N1185RVS-1N1185R |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.7V @ 110A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 10mA @ 150V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品 | Standard Recovery Rectifiers |
| 产品种类 | 整流器 |
| 供应商器件封装 | DO-203AB |
| 其它名称 | *1N1185R |
| 包装 | 散装 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 反向电压 | 150 V |
| 反向电流IR | 10000 uA |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 底座，接线柱安装 |
| 安装风格 | Stud |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | DO-203AB，DO-5，接线柱 |
| 封装/箱体 | DO-203AB (DO-5) |
| 工作温度-结 | -65°C ~ 190°C |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 最大工作温度 | + 190 C |
| 最大浪涌电流 | 400 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向电压下降 | 1.7 V at 110 A |
| 正向连续电流 | 35 A |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 150V |
| 电流-平均整流(Io) | 35A |
| 速度 | 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io） |
| 配置 | Single |
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