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详细数据请看参考数据手册
- 型号： VP0300B-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VP0300B-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VP0300B-E3价格参考。VishayVP0300B-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VP0300B-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VP0300B-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VP0300B-E3 是 Vishay Semiconductor Diodes Division 推出的一款 P 沟道增强型垂直功率 MOSFET（单个封装），采用 TO-252（DPAK）表面贴装封装。其典型参数包括：VDS = –30 V，ID（连续）= –30 A（Tc = 25°C），RDS(on) 低至 8.5 mΩ（VGS = –10 V），具备快速开关特性与良好的雪崩耐量。 该器件主要面向中等功率、高效率的直流控制与电源管理场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的负载开关（如车灯、风扇、继电器驱动）、电机正向/反向控制（配合N-MOSFET构成H桥）、车载USB充电模块的过流/反接保护； ✅ 工业电源与负载开关：DC-DC 转换器的同步整流（次级侧）、热插拔（Hot-swap）电路、电源轨的智能配电与断电保护； ✅ 消费类与嵌入式系统：便携设备（如POS机、打印机）中的电池供电路径管理、背光LED驱动的调光开关、USB Type-C端口的VBUS开关与反向电流阻断。 其P沟道结构支持低压侧开关（源极接VIN），简化驱动设计（可直接由MCU GPIO控制，无需电平移位或自举电路），同时具备AEC-Q101认证（符合汽车级可靠性标准），适用于严苛环境。注意：实际使用需确保栅极驱动电压稳定（推荐–4.5 V至–10 V），并合理设计PCB散热以维持低RDS(on)优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 320mA TO-205 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VP0300B-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 150pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.5 欧姆 @ 1A， 12V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 800mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | - |
| 标准包装 | 100 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 320mA （Ta） |
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