Datasheet下载- 型号： VND1NV04-E
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VND1NV04-E由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VND1NV04-E价格参考。STMicroelectronicsVND1NV04-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VND1NV04-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VND1NV04-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VND1NV04-E 是德州仪器（Texas Instruments）推出的高侧N沟道MOSFET驱动器（属PMIC - 配电开关/负载驱动器类别），实际由STMicroelectronics设计并生产（TI曾分销，但该型号非TI原研产品；需注意：VND1NV04-E为意法半导体型号，TI官网无此器件。可能用户存在品牌混淆）。若按其真实规格（40V耐压、1.5A连续电流、逻辑电平输入、内置保护）分析，典型应用场景包括： - 汽车电子：用于车身控制模块（BCM）中驱动座椅调节电机、车窗升降器、顶灯、雨刮继电器等阻性或感性负载，支持12V车载系统； - 工业控制：作为PLC输出模块的固态开关，驱动电磁阀、小型直流风机、LED照明阵列等，替代机械继电器，提升寿命与响应速度； - 家电与楼宇自动化：用于智能家电（如洗衣机进水阀、冰箱风扇）及楼宇照明控制系统，实现过流、过热和短路保护下的安全配电； - 电池供电设备：在便携式医疗设备或电动工具中，作为受控电源通断开关，支持低静态电流（<10μA待机）以延长电池续航。 注：使用时需配合外部续流二极管（驱动感性负载）、合理布局PCB散热，并注意其单通道、高侧驱动特性（负载接在输出与地之间）。建议查阅ST官方数据手册确认参数与应用指南。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK |
| 产品分类 | PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | VND1NV04-E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OMNIFET II™ |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26261 |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 导通电阻 | 250 毫欧 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 75 |
| 电压-电源 | - |
| 电流-峰值输出 | 1.7A |
| 电流-输出/通道 | - |
| 类型 | 低端 |
| 输入类型 | 非反相 |
| 输出数 | 1 |
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