Datasheet下载- 型号： VMO60-05F
- 制造商： IXYS
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO60-05F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO60-05F价格参考。IXYSVMO60-05F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO60-05F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO60-05F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS（现属Littelfuse）的VMO60-05F是一款高压、高电流N沟道增强型垂直功率MOSFET，主要面向工业级硬开关应用。其典型参数包括：额定漏源电压VDSS = 500 V，连续漏极电流ID = 60 A（Tc = 25°C），低导通电阻RDS(on) ≈ 0.045 Ω（典型值），采用TO-247封装，具备良好的热稳定性和雪崩耐受能力。 该器件适用于中高功率、高可靠性要求的场景，常见于： 1. 工业电机驱动与变频器：作为逆变桥臂开关，驱动三相交流电机（如泵、风机、压缩机）； 2. 开关电源（SMPS）：用于大功率AC/DC或DC/DC转换器的主开关管（如通信电源、服务器电源）； 3. UPS与储能系统：在在线式不间断电源的逆变输出级及电池充放电控制回路中承担高频通断； 4. 感应加热与焊接设备：配合谐振电路实现ZVS/ZCS软开关，提升效率与EMI性能； 5. 固态继电器（SSR）与PLC输出模块：替代机械触点，提供快速、无磨损的负载控制。 需注意：VMO60-05F为硬开关优化设计，非超结结构，故在高频（>100 kHz）下开关损耗较大，不推荐用于高频谐振拓扑；实际应用中须配合适当的栅极驱动（如±15 V驱动电压）、充足散热（建议使用≥0.25°C/W散热器）及过压/过流保护电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 60A TO-240AA |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | VMO60-05F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 24mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 405nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | TO-240AA |
| 功率-最大值 | 590W |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | TO-240AA |
| 标准包装 | 6 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A |
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