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  • 型号: ULN2003APG(O,NHZ)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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ULN2003APG(O,NHZ)产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS 7 NPN DARL 50V 500MA 16DIP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

产品图片

产品型号

ULN2003APG(O,NHZ)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 500µA, 350mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

1000 @ 350mA,2V

产品目录页面

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供应商器件封装

16-DIP

其它名称

ULN2003APG
ULN2003APG(5,M)
ULN2003APG(O,M)
ULN2003APG(ONHZ)
ULN2003APG-ND
ULN2003APGONHZ

功率-最大值

1.47W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

16-DIP(0.300",7.62mm)

晶体管类型

7 NPN 达林顿

标准包装

25

电压-集射极击穿(最大值)

50V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

频率-跃迁

-

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