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  • 型号: TPV8100B
  • 制造商: Advanced Semiconductor, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TPV8100B由Advanced Semiconductor, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPV8100B价格参考。Advanced Semiconductor, Inc.TPV8100B封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TPV8100B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TPV8100B 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
品牌

Advanced Semiconductor, Inc.

产品目录

半导体

描述

射频双极晶体管 RF Transistor

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Advanced Semiconductor, Inc. TPV8100B

产品型号

TPV8100B

产品种类

射频双极晶体管

功率耗散

215 W

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

Advanced Semiconductor, Inc.

安装风格

Screw

封装

Tray

封装/箱体

Case 398-03

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar Power

最大工作温度

+ 200 C

最大工作频率

860 MHz

最小工作温度

- 65 C

直流集电极/BaseGainhfeMin

30

类型

RF Bipolar Power

集电极—发射极最大电压VCEO

30 V

集电极连续电流

12 A

频率

860 MHz

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