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  • 型号: TP86R203NL,LQ
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TP86R203NL,LQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TP86R203NL,LQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TP86R203NL,LQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TP86R203NL,LQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TP86R203NL,LQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1050 pF

描述

MOSFET N CH 30V 19A 8SOPMOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 1050pF 19A 30V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

19 A

Id-连续漏极电流

19 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TP86R203NL,LQ-

mouser_ship_limit

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数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TP86R203NL

产品型号

TP86R203NL,LQTP86R203NL,LQ

Pd-PowerDissipation

1.9 W

Pd-功率耗散

1.9 W

Qg-GateCharge

17 nC

Qg-栅极电荷

17 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.3 V

上升时间

4 ns

下降时间

3.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.3V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1400pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.2 毫欧 @ 9A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOP

其它名称

TP86R203NLLQCT

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

1W

包装

剪切带 (CT)

商标

Toshiba

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOP-8

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

19A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain

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