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Datasheet下载- 型号： TLP184(TPR,E)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TLP184(TPR,E)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TLP184(TPR,E)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TLP184(TPR,E)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TLP184(TPR,E)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TLP184(TPR,E) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage 的 TLP184(TPR,E) 是一种光隔离器（光电耦合器），其核心功能是通过光信号实现输入与输出电路之间的电气隔离。该型号采用晶体管作为光电输出器件，广泛应用于需要高电气隔离、低噪声和稳定信号传输的场景。以下是其主要应用场景： 1. 工业自动化控制 - 在工业控制系统中，TLP184 可用于隔离传感器信号与控制器之间的连接，防止干扰和高压对敏感控制电路的影响。 - 常见应用包括 PLC（可编程逻辑控制器）、变频器、伺服驱动器等设备中的信号隔离。 2. 电源管理 - 用于开关电源（SMPS）的反馈回路中，实现初级侧与次级侧的电气隔离，确保安全性和稳定性。 - 在 DC-DC 转换器中，TLP184 可以传递电压调节信号，同时避免电流泄漏。 3. 电机驱动与逆变器 - 在电机驱动系统中，用于隔离驱动信号与主控芯片，保护控制电路免受大电流和电磁干扰的影响。 - 在太阳能逆变器和其他功率转换设备中，TLP184 提供可靠的信号隔离，确保系统的高效运行。 4. 医疗设备 - 在医疗电子设备中，如心电图仪、监护仪等，TLP184 用于隔离患者接触部分与设备内部电路，确保患者和操作人员的安全。 5. 通信设备 - 在通信接口中，TLP184 可用于隔离数据信号，减少电磁干扰和噪声影响，提高通信可靠性。 - 常见于 RS-232、RS-485 等串行通信接口的隔离设计。 6. 家用电器 - 在高端家用电器中，如空调、洗衣机等，TLP184 用于隔离主控板与功率模块之间的信号，提升系统的抗干扰能力。 7. 汽车电子 - 在汽车电子系统中，TLP184 可用于隔离发动机控制单元（ECU）与其他传感器或执行器的信号，确保信号传输的可靠性和安全性。 特点总结： - 高隔离电压：提供高达 5000Vrms 的电气隔离，适用于高压环境。 - 快速响应：支持高频信号传输，适用于实时控制系统。 - 低功耗：适合对能效要求较高的应用。 - 稳定性强：能够在宽温度范围内保持性能稳定。 总之，TLP184(TPR,E) 凭借其优异的电气隔离性能和可靠性，成为许多高精度、高安全性应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | OPTOISO 3.75KV TRANS 6-SO 4 LEAD晶体管输出光电耦合器 AC Input 80V Trans 3750Vrms Optocoupler |
| 产品分类 | 光隔离器 - 晶体管，光电输出集成电路 - IC |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 光耦合器/光电耦合器,晶体管输出光电耦合器,Toshiba TLP184(TPR,E)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TLP184点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | TLP184(TPR,E)TLP184(TPR,E) |
| Vce饱和值（最大值） | 300mV |
| 上升/下降时间（典型值） | 5µs， 9µs |
| 产品种类 | 晶体管输出光电耦合器 |
| 供应商器件封装 | 6-SO, 4 个接脚 |
| 其它名称 | TLP184(TPRE)TR |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD（4 个接脚），鸥形翼 |
| 封装/箱体 | SOIC-6 |
| 工作温度 | -55°C ~ 110°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 打开/关闭时间（典型值） | 9µs， 9µs |
| 最大上升时间 | 5 us |
| 最大下降时间 | 9 us |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 110 C |
| 最大正向二极管电压 | 1.4 V |
| 最大输入二极管电流 | 10 mA |
| 最大集电极/发射极电压 | 80 V |
| 最大集电极/发射极饱和电压 | 0.3 V |
| 最大集电极电流 | 50 mA |
| 最小工作温度 | - 50 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 正向电流 | 16 mA |
| 每芯片的通道数量 | 1 Channel |
| 电压-正向(Vf)（典型值） | 1.25V |
| 电压-输出（最大值） | 80V |
| 电压-隔离 | 3750Vrms |
| 电流-DC正向(If) | 50mA |
| 电流-输出/通道 | 50mA |
| 电流传输比（最大值） | 400% @ 5mA |
| 电流传输比（最小值） | 50% @ 5mA |
| 电流传递比 | 400 % |
| 绝缘电压 | 3750 Vrms |
| 输入类型 | ACAC，DC |
| 输出类型 | 晶体管DC |
| 输出设备 | NPN Phototransistor |
| 通道数 | 1 |
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