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  • 型号: TLE2161ID
  • 制造商: Texas Instruments
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

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TLE2161ID产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TLE2161ID由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供TLE2161ID价格参考¥10.46-¥23.65以及Texas InstrumentsTLE2161ID封装/规格参数等产品信息。 你可以下载TLE2161ID参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有TLE2161ID详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
-3db带宽

-

产品目录

集成电路 (IC)半导体

描述

IC OPAMP JFET 6.4MHZ 8SOIC运算放大器 - 运放 Low Power JFET

产品分类

Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps集成电路 - IC

品牌

Texas Instruments

产品手册

http://www.ti.com/litv/slos049d

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

放大器 IC,运算放大器 - 运放,Texas Instruments TLE2161IDExcalibur™

数据手册

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产品型号

TLE2161ID

产品目录页面

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产品种类

运算放大器 - 运放

供应商器件封装

8-SOIC

共模抑制比—最小值

65 dB

关闭

No Shutdown

其它名称

296-10482-5

包装

管件

单位重量

76 mg

压摆率

10 V/µs

双重电源电压

+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V, +/- 15 V

商标

Texas Instruments

增益带宽生成

5.8 MHz

增益带宽积

6.4MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工作温度

-40°C ~ 85°C

工作电源电压

7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V

工厂包装数量

75

技术

BiFET

放大器类型

J-FET

最大双重电源电压

+/- 18 V

最大工作温度

+ 85 C

最小双重电源电压

+/- 3.5 V

最小工作温度

- 40 C

标准包装

75

电压-电源,单/双 (±)

±3.5 V ~ 18 V

电压-输入失调

600µV

电流-电源

290µA

电流-输入偏置

4pA

电流-输出/通道

80mA

电源电流

0.035 mA

电路数

1

系列

TLE2161

转换速度

10 V/us

输入偏压电流—最大

2 nA

输入参考电压噪声

59 nV

输入补偿电压

3.1 mV

输出类型

-

通道数量

1 Channel

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