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MSC2712GT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MSC2712GT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSC2712GT1G价格参考¥0.80-¥1.15。ON SemiconductorMSC2712GT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 50V 100mA 50MHz 200mW 表面贴装 SC-59。您可以下载MSC2712GT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSC2712GT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MSC2712GT1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。它具有良好的高频特性和适中的功率处理能力,适用于多种电子电路中的信号放大和开关应用。 该晶体管常见应用场景包括: 1. 射频(RF)放大器:MSC2712GT1G具有良好的高频响应,常用于通信设备中的射频信号放大,如无线基站、广播设备等。 2. 功率开关电路:由于其具备一定的电流和电压承受能力,可用于中低功率的开关电路中,如电源管理模块、电机驱动电路等。 3. 音频放大器:在音响系统中,该晶体管可用于前置放大或驱动级放大,提供良好的音频信号增益。 4. 工业控制设备:用于工业自动化系统中的信号处理和控制电路,如PLC、传感器接口等。 5. 消费类电子产品:如电视机、音响设备、充电器等,用于信号处理或电源控制部分。 该晶体管采用SOT-23封装,体积小、便于贴装,适合高密度PCB设计。其优良的性能和可靠性使其在通信、工业和消费电子领域广泛应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS GP SS NPN 50V SC59两极晶体管 - BJT 100mA 60V NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSC2712GT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MSC2712GT1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,6V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-59 |
其它名称 | MSC2712GT1GOS |
功率-最大值 | 200mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 7 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SC-59-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 0.2 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 |
系列 | MSC2712GT1 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
集电极—基极电压VCBO | 60 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | 50MHz |