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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供TK4A60D(STA4,Q,M)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK4A60D(STA4,Q,M)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK4A60D(STA4,Q,M)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK4A60D(STA4,Q,M)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK4A60D(STA4,Q,M) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage生产的TK4A60D(STA4,Q,M)是一款单通道MOSFET晶体管,广泛应用于多种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): TK4A60D适用于开关模式电源的设计,如适配器、充电器和DC-DC转换器。其低导通电阻和快速开关特性有助于提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动: 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关控制,支持家电、工业设备和消费电子中的电机应用。 3. 逆变器: 在光伏逆变器或电池逆变器中,TK4A60D可以作为功率开关元件,实现电能的高效转换与输出调节。 4. 负载开关: 用于需要动态控制电流流动的场景,例如便携式设备中的负载开关功能,确保电路在待机状态下的低功耗。 5. 保护电路: 在过流保护、短路保护等安全电路设计中,该MOSFET能够快速响应异常情况,切断电流路径以保护系统。 6. 汽车电子: 虽然具体耐温范围需查阅数据手册,但类似规格的MOSFET常用于车载电子设备,如车窗升降器、座椅调节器和LED照明控制等。 7. 信号放大与缓冲: 在某些低频信号处理场合,TK4A60D可以用作信号放大的开关级或缓冲级。 总结来说,TK4A60D凭借其优良的电气性能和可靠性,适合各种需要高效功率转换与控制的应用环境,尤其在消费电子、工业控制和能源管理领域表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 4A TO-220SIS |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK4A60DA点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | TK4A60D(STA4,Q,M) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.7 欧姆 @ 2A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 其它名称 | TK4A60D(Q) |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Ta) |