ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TK31E60W,S1VX
Datasheet下载- 型号： TK31E60W,S1VX
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK31E60W,S1VX由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK31E60W,S1VX价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK31E60W,S1VX封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 30.8A（Ta） 230W（Tc） TO-220。您可以下载TK31E60W,S1VX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK31E60W,S1VX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的TK31E60W,S1VX是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。以下是其主要应用场景的分析： 1. 开关电源（SMPS） - TK31E60W,S1VX适用于各种开关电源设计，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高耐压特性（600V）使其能够承受较高的电压波动，适合用于工业级或消费级电源设备。 - 应用实例：笔记本适配器、电视电源、LED驱动电源。 2. 电机驱动 - 该MOSFET可用于驱动中小功率电机，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）等。其低导通电阻（Rds(on)）可降低功耗，提高效率。 - 应用实例：家用电器（如风扇、洗衣机）、电动工具（如电钻、吸尘器）。 3. 逆变器和变频器 - 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）以及变频空调等应用中，TK31E60W,S1VX可以作为核心开关元件，实现高效的能量转换和控制。 - 特点：其快速开关速度和低开关损耗有助于提升系统的整体性能。 4. 电池管理系统（BMS） - 该型号的MOSFET可以用作电池组中的充放电控制开关，确保电流在安全范围内流动，并保护电池免受过充或过放的影响。 - 应用实例：电动车、储能系统、便携式电子设备。 5. 负载开关和保护电路 - TK31E60W,S1VX可用于设计负载开关或过流保护电路，提供可靠的短路保护和热关断功能，防止系统因异常情况而损坏。 - 应用实例：工业控制器、通信设备、汽车电子。 总结 TK31E60W,S1VX凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于电力电子领域，特别是在需要高效能量转换和精确控制的场景中表现优异。无论是消费电子产品还是工业设备，这款MOSFET都能满足多样化的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 3000 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 30.8A TO-220MOSFET N-Ch 30.8A 290W FET 600V 3000pF 86nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 30.8 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31E60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK31E60W,S1VX- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK31E60W |
| 产品型号 | TK31E60W,S1VXTK31E60W,S1VX |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 86 nC |
| Qg-栅极电荷 | 86 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 8.5 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3000pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 86nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 88 毫欧 @ 15.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | TK31E60WS1VX |
| 典型关闭延迟时间 | 165 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 73 mOhms |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 30.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/cn/zh/toshiba-dtmosiv-superjunction-mosfets/3396 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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