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  • 型号: TK10Q60W,S1VQ
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供TK10Q60W,S1VQ由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK10Q60W,S1VQ价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK10Q60W,S1VQ封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载TK10Q60W,S1VQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有TK10Q60W,S1VQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

700 pF

描述

MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAKMOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 80W 700pF 20nC 9.7A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9.7 A

Id-连续漏极电流

9.7 A

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Toshiba TK10Q60W,S1VQ-

mouser_ship_limit

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数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK10Q60W

产品型号

TK10Q60W,S1VQTK10Q60W,S1VQ

Pd-PowerDissipation

80 W

Pd-功率耗散

80 W

Qg-GateCharge

20 nC

Qg-栅极电荷

20 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

327 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

327 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3.7 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3.7 V

上升时间

22 ns

下降时间

5.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 500µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

700pF @ 300V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

20nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

430 毫欧 @ 4.9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

TK10Q60WS1VQ

典型关闭延迟时间

75 ns

功率-最大值

80W

包装

管件

商标

Toshiba

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装/外壳

TO-251-3 短截引线,IPak

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.7A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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