【未分类_TIP31BG】封装/厂家_TIP31BG中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： TIP31BG
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供TIP31BG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TIP31BG价格参考。ON SemiconductorTIP31BG封装/规格：未分类，暂无。您可以下载TIP31BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TIP31BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

TIP31BG 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 NPN 型双极性晶体管（BJT），属于 TIP 系列功率晶体管。它是一种单晶体管器件，广泛应用于需要中等功率放大的场合。以下是 TIP31BG 的主要应用场景：

 1. 电源开关
   - TIP31BG 可用作开关元件，在直流电机控制、继电器驱动和 LED 驱动等应用中作为开关使用。通过控制基极电流，可以实现负载的通断。

 2. 音频放大器
   - 在低至中功率音频放大器中，TIP31BG 可用于输出级或推动级，提供足够的电流增益以驱动扬声器或其他音频设备。

 3. 电机控制
   - 适用于小型直流电机的启动、停止和速度控制。通过 PWM（脉宽调制）信号控制基极电流，可以调节电机的速度。

 4. 继电器驱动
   - TIP31BG 能够驱动电磁继电器线圈，将微控制器的低电流信号转换为足够高的电流以激活继电器。

 5. 负载切换
   - 在需要切换高电流负载的应用中，TIP31BG 可以作为负载切换元件，例如控制灯泡、加热器或其他电阻性负载。

 6. 信号放大
   - 用于信号放大的场景，例如传感器信号放大或低电平信号增强。TIP31BG 的电流增益较高，能够满足这些需求。

 特性概述：
- 集电极最大电流：3A
- 集电极-发射极最大电压：100V
- 功耗：40W（在适当的散热条件下）
- 封装形式：TO-126，适合表面安装和散热

 注意事项：
- 使用时需要根据实际功耗情况设计合适的散热方案，尤其是在大电流或高电压条件下。
- 确保基极电流在安全工作区内，避免过载导致器件损坏。

TIP31BG 凭借其可靠的性能和广泛的适用范围，成为许多电子电路设计中的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS NPN 3A 80V HI PWR TO220AB两极晶体管 - BJT 3A 80V 40W NPN
产品分类	晶体管(BJT) - 单路分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor TIP31BG-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	TIP31BG
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	1.2V @ 375mA，3A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	10 @ 3A，4V
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	TO-220AB
其它名称	TIP31BGOS
功率-最大值	2W
包装	管件
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	3 MHz
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/外壳	TO-220-3
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	50
晶体管极性	NPN
晶体管类型	NPN
最大功率耗散	40 W
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 65 C
标准包装	50
电压-集射极击穿（最大值）	80V
电流-集电极(Ic)（最大值）	3A
电流-集电极截止（最大值）	300µA
直流集电极/BaseGainhfeMin	25
系列	TIP31B
配置	Single
集电极—发射极最大电压VCEO	80 V
集电极—基极电压VCBO	80 V
集电极—射极饱和电压	1.2 V
集电极连续电流	3 A
频率-跃迁	3MHz