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详细数据请看参考数据手册
- 型号： TGA2601-SM-T/R
- 制造商： TriQuint Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TGA2601-SM-T/R由TriQuint Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TGA2601-SM-T/R价格参考。TriQuint SemiconductorTGA2601-SM-T/R封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TGA2601-SM-T/R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TGA2601-SM-T/R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | TriQuint Semiconductor |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | 射频JFET晶体管 800-3000MHz NF .7dB Gain 19dBm |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,TriQuint Semiconductor TGA2601-SM-T/R |
| 产品型号 | TGA2601-SM-T/R |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 商标 | TriQuint Semiconductor |
| 噪声系数 | 0.7 dB |
| 增益 | 19 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | QFN-16 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管类型 | pHEMT |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 系列 | TGA |
| 零件号别名 | 1071909 |
| 频率 | 0.8 GHz to 3 GHz |
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