Datasheet下载- 型号： TF262TH-4-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF262TH-4-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF262TH-4-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF262TH-4-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF262TH-4-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF262TH-4-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的型号 TF262TH-4-TL-H 是一款分类为 JFET（结型场效应晶体管，Junction Field-Effect Transistor）的器件。以下是其可能的应用场景： 1. 音频信号放大 - TF262TH-4-TL-H 可用于低噪声、高增益的音频信号放大电路中。JFET 的输入阻抗高，适合处理微弱信号，例如麦克风前置放大器或乐器拾音器的信号放大。 2. 射频（RF）和无线通信 - 由于 JFET 具有较低的噪声特性和良好的线性度，该型号可用于射频信号的低噪声放大器（LNA），适用于无线通信设备、对讲机或无线电接收器。 3. 开关电路 - 在需要低导通电阻和快速开关速度的应用中，该 JFET 可用作模拟开关。例如，在多路复用器、采样保持电路或数据采集系统中实现信号切换。 4. 电源管理 - 该型号可作为简单的恒流源或恒压源使用，适用于 LED 驱动、传感器偏置电源或参考电压生成等场景。 5. 信号调理 - 在工业自动化或医疗设备中，JFET 常用于信号调理电路，例如将传感器输出的微弱信号进行放大和滤波处理。 6. 振荡器和时钟电路 - TF262TH-4-TL-H 可用于设计 RC 或 LC 振荡器，产生稳定的时钟信号，适用于定时器、脉冲发生器或频率合成器。 7. 缓冲器和隔离电路 - 利用 JFET 的高输入阻抗特性，该型号可用作缓冲器，隔离高阻抗信号源与低阻抗负载之间的干扰。 总结 TF262TH-4-TL-H 的典型应用场景包括音频信号处理、射频通信、开关控制、电源管理、信号调理、振荡器设计以及缓冲隔离等。具体应用取决于其电气参数（如漏极电流、栅极电压、跨导等）是否满足设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-InputCapacitance | 3.5 pF |
| Ciss-输入电容 | 3.5 pF |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 100MWJFET NCH J-FET |
| 产品分类 | JFET（结点场效应分离式半导体 |
| FET类型 | N 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1 mA |
| Id-连续漏极电流 | 1 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,JFET,ON Semiconductor TF262TH-4-TL-H- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | TF262TH-4-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 100 mW |
| Pd-功率耗散 | 100 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs=0时的漏-源电流 | 240 uA |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 200mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.5pF @ 2V |
| 产品种类 | JFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | * |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | * |
| 封装/箱体 | VTFP-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏极电流Id-最大值 | 1 mA |
| 漏极连续电流 | 1 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 漏源电压VDS | - 20 V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
| 系列 | TF262TH |
| 输入电容 | 3.5 pF |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | - 20 V |
| 闸/源截止电压 | - 1 V |
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