Datasheet下载- 型号： TF256-5-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF256-5-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF256-5-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF256-5-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF256-5-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF256-5-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF256-5-TL-H是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于N沟道JFET。该器件广泛应用于低噪声、高输入阻抗的模拟电路中。 其主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：由于JFET具有较低的噪声系数和高输入阻抗，TF256-5-TL-H常用于音频和射频信号的前置放大电路中，尤其适用于高保真音响设备和通信系统。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可作为模拟开关使用，用于信号路径的选择与控制，适用于测试仪器和数据采集系统。 3. 电压控制电阻：在某些线性电路设计中，JFET可以作为可变电阻使用，用于实现电压控制功能，如自动增益控制（AGC）电路。 4. 射频（RF）电路：TF256-5-TL-H具备良好的高频特性，适合用于射频前端电路，如混频器、调制解调器等。 5. 传感器接口电路：因其高输入阻抗特性，适合用于连接高阻抗传感器（如某些类型的麦克风、压力传感器等），以减少对信号源的影响。 该器件采用SOT-23封装，体积小、便于表面贴装，适用于便携式电子设备和高密度电路板设计。总体而言，TF256-5-TL-H是一款适用于多种模拟信号处理场合的通用JFET器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 30MW USFP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TF256-5-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 100mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 240µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 供应商器件封装 | 3-USFP |
| 功率-最大值 | 30mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-1123 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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