Datasheet下载- 型号： TF252-4-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TF252-4-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TF252-4-TL-H价格参考。ON SemiconductorTF252-4-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TF252-4-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TF252-4-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TF252-4-TL-H是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款结型场效应晶体管（JFET），属于电压控制型器件，常用于低噪声放大、模拟开关、信号调节等高精度模拟电路中。 该器件采用SOT-23封装，具有体积小、功耗低、稳定性好等特点，适用于便携式电子设备和高密度电路设计。其主要应用场景包括： 1. 低噪声前置放大器：由于JFET具有高输入阻抗和低噪声特性，TF252-4-TL-H常用于音频放大器、传感器信号放大器的前端，以提高信号采集的精度和稳定性。 2. 模拟开关与多路复用器：该器件可用于构建低失真、高速切换的模拟开关电路，适用于测试仪器、数据采集系统等。 3. 电压控制电阻：JFET在可变电阻模式下可作为电压控制元件，用于音量控制、滤波器调谐等应用。 4. 电池供电设备：因其低功耗特性，适用于电池供电的便携式设备，如无线耳机、手持仪表等。 总之，TF252-4-TL-H适用于对噪声、功耗和空间有较高要求的模拟电路设计，广泛应用于通信、工业控制、消费电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | JFET N-CH 1MA 30MW USFP |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | TF252-4-TL-H |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 100mV @ 1µA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 140µA @ 2V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3.1pF @ 2V |
| 供应商器件封装 | 3-USFP |
| 功率-最大值 | 30mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 3-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | 1mA |
| 漏源极电压(Vdss) | - |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | - |
| 电阻-RDS（开） | - |
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