Datasheet下载- 型号： T835H-6I
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供T835H-6I由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 T835H-6I价格参考。STMicroelectronicsT835H-6I封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载T835H-6I参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有T835H-6I 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRIAC ALTERNISTOR 600V TO220AB双向可控硅 Hi temp 8A 双向可控硅 |
| 产品分类 | 双向可控硅分离式半导体 |
| GateTriggerCurrent-Igt | 35 mA |
| GateTriggerVoltage-Vgt | 1 V |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体闸流管,双向可控硅,STMicroelectronics T835H-6ISnubberless™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | T835H-6I |
| 三端双向可控硅类型 | 可控硅 - 无缓冲器 |
| 不重复通态电流 | 84 A |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26297http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26298 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 双向可控硅 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 保持电流Ih最大值 | 35 mA |
| 关闭状态漏泄电流（在VDRMIDRM下） | 5 uA |
| 其它名称 | 497-7644-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM144/CL1221/SC547/PF178958?referrer=70071840 |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 开启状态电压 | 1.5 V |
| 栅极触发电压-Vgt | 1 V |
| 栅极触发电流-Igt | 35 mA |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-断态 | 600V |
| 电压-栅极触发(Vgt)（最大值） | 1V |
| 电流-不重复浪涌50、60Hz(Itsm) | 80A，84A |
| 电流-保持(Ih)（最大值） | 35mA |
| 电流-栅极触发(Igt)（最大值） | 35mA |
| 电流-通态(It(RMS))（最大值） | 8A |
| 系列 | T835H |
| 配置 | 单一 |
| 额定重复关闭状态电压VDRM | 600 V |
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