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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供Si8233BD-C-IS由Silicon Laboratories设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 Si8233BD-C-IS价格参考。Silicon LaboratoriesSi8233BD-C-IS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载Si8233BD-C-IS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有Si8233BD-C-IS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Silicon Labs的SI8233BD-C-IS是一款隔离式栅极驱动器,适用于多种工业和电力电子应用。以下是其主要应用场景: 1. 电机控制:该器件可用于驱动逆变器中的功率MOSFET或IGBT,实现对电机的高效控制。其高隔离电压特性能够确保在高压环境下安全可靠地运行。 2. 太阳能逆变器:在光伏系统中,SI8233BD-C-IS可以用来驱动功率开关器件,将直流电转换为交流电。其低传播延迟和高共模瞬态抗扰度(CMTI)使其非常适合快速切换的应用场景。 3. 电源供应器:在开关模式电源(SMPS)中,这款隔离器可用于驱动初级侧的功率开关,提供高效的电能转换。其增强型电气隔离能力有助于满足安全标准要求。 4. 电动汽车充电站:用于充电桩内的功率级电路中,驱动大电流开关器件,保证充电过程的安全性和效率。 5. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、伺服驱动器等需要高性能隔离驱动的应用场合,该产品可以提供可靠的信号传输与功率控制功能。 6. 不间断电源(UPS)系统:在UPS中用作关键组件之一,负责驱动逆变电路中的功率半导体器件,以维持稳定输出。 总之,SI8233BD-C-IS凭借其强大的电气隔离性能、快速响应速度以及出色的抗干扰能力,在任何需要安全隔离并精确控制功率开关的应用领域都有着广泛用途。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 隔离器半导体 |
| 描述 | IC HIGH/LOW SIDE DRIVER 16SOIC门驱动器 5kV 4A H.Side/L.Side Isolatd Drvr Dual In |
| 产品分类 | 光隔离器 - 栅极驱动器电源管理 IC |
| 品牌 | Silicon LabsSilicon Laboratories Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 门驱动器,Silicon Labs Si8233BD-C-IS- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI8233BD-C-ISSi8233BD-C-IS |
| PulseWidthDistortion(Max) | 5.6ns |
| 上升/下降时间(典型值) | 12ns, 12ns (最小值) |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 17 ns |
| 产品 | Driver ICs - Various |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 门驱动器 |
| 传播延迟tpLH/tpHL(最大值) | 60ns, 60ns |
| 传播延迟时间 | 30 ns |
| 供应商器件封装 | 16-SOIC W |
| 共模瞬态抗扰度(最小值) | 20kV/µs |
| 关闭 | Yes |
| 其它名称 | 336-1904-5 |
| 功率耗散 | 1.2 W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 508.350 mg |
| 商标 | Silicon Labs |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-16 Wide |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工厂包装数量 | 46 |
| 技术 | 容性耦合 |
| 最大功率耗散 | 1.2 W |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 46 |
| 激励器数量 | 2 Driver |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/silabs/Si82xx.html |
| 电压-正向(Vf)(典型值) | - |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 电压-隔离 | 5000Vrms |
| 电流-DC正向(If) | - |
| 电流-峰值输出 | - |
| 电流-输出高,低 | - |
| 电源电压-最大 | 24 V |
| 电源电压-最小 | 6.5 V |
| 电源电流 | 3.5 mA |
| 类型 | High Side/Low Side |
| 系列 | Si8233BD |
| 绝缘电压 | 2.5 kVrms |
| 脉宽失真(最大) | 5.6ns |
| 认可 | CQC, CSA, UR, VDE |
| 输出电压 | +/- 0.04 V |
| 输出电流 | 4 A |
| 输出端数量 | 2 |
| 通道数 | 2 |
| 通道数量 | 2 Channel |
| 配置 | High Side/Low Side |