Datasheet下载- 型号： SZNUP3112UPMUTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SZNUP3112UPMUTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SZNUP3112UPMUTAG价格参考。ON SemiconductorSZNUP3112UPMUTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SZNUP3112UPMUTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SZNUP3112UPMUTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SZNUP3112UPMUTAG 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款 TVS（瞬态电压抑制）二极管，主要用于电路保护，防止因静电放电（ESD）、电感负载切换或雷击引起的瞬态电压损坏敏感电子元件。 该器件采用双线双向设计，适用于需要保护两条信号线的应用场景，具有低钳位电压和快速响应时间的特点，能够有效吸收高达30kV的ESD冲击，符合IEC 61000-4-2标准。 典型应用场景包括： 1. 通信接口保护：如USB、HDMI、RS-485等高速数据接口，防止静电和瞬态电压对芯片造成损坏。 2. 工业控制系统：用于保护PLC、传感器、执行器等设备中的信号线路。 3. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的数据和充电接口。 4. 汽车电子系统：适用于车载信息娱乐系统、CAN总线接口等对可靠性要求较高的场景。 5. 便携设备：由于其小型化封装（如UQFN），适合空间受限的便携式设备中使用。 综上，SZNUP3112UPMUTAG适用于各种需要对高速信号线进行ESD和瞬态电压保护的电子系统中，具备高可靠性与小型化优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护 |
| 描述 | TVS DIODE 4VWM |
| 产品分类 | TVS - 二极管 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SZNUP3112UPMUTAG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同频率时的电容 | 0.7pF @ 1MHz |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-峰值脉冲 | - |
| 包装 | * |
| 单向通道 | 3 |
| 双向通道 | - |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 应用 | 通用 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-击穿（最小值） | 5.2V |
| 电压-反向关态（典型值） | 4V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | - |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | - |
| 电源线路保护 | 是 |
| 类型 | 齐纳 |
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