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  • 型号: STU60N3LH5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STU60N3LH5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STU60N3LH5价格参考。STMicroelectronicsSTU60N3LH5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STU60N3LH5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STU60N3LH5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 48A IPAKMOSFET N-Channel 30V Pwr Mosfet

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

48 A

Id-连续漏极电流

48 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF174523?referrer=70032480

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STU60N3LH5STripFET™ V

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STU60N3LH5

Pd-PowerDissipation

60 W

Pd-功率耗散

60 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 22 V

Vgs-栅源极击穿电压

22 V

上升时间

33 ns

下降时间

4.2 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1620pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

8.8nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.4 毫欧 @ 24A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

I-Pak

其它名称

497-12697-5
STU60N3LH5-ND

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF174523?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

19 ns

功率-最大值

60W

包装

管件

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB

封装/箱体

IPAK-3

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

48A (Tc)

系列

STU60N3LH5

通道模式

Enhancement

配置

Single

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