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  • 型号: STL12N3LLH5
  • 制造商: STMicroelectronics
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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STL12N3LLH5产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 12A POWERFLATMOSFET N-Ch 30V 0.0079 Ohm 12A STripFET V

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

12 A

Id-连续漏极电流

12 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL12N3LLH5STripFET™ V

数据手册

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产品型号

STL12N3LLH5

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 22 V

Vgs-栅源极击穿电压

22 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9 毫欧 @ 6A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerFlat™(3.3x3.3)

其它名称

497-11844-1

功率-最大值

50W

包装

剪切带 (CT)

商标

STMicroelectronics

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerVDFN

封装/箱体

PowerFLAT-8 3.3x3.3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

12A (Tc)

系列

STL12N3LLH5

配置

Single

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