Datasheet下载- 型号： STI25NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STI25NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STI25NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTI25NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STI25NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STI25NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STI25NM60ND是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有600V的漏源击穿电压和25A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用。 其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：如AC-DC、DC-DC转换器，用于工业电源、适配器及充电器中，提供高效能和小体积设计。 2. 电机驱动：用于电动工具、家用电器和工业自动化设备中的电机控制电路，具备良好的导通和开关性能。 3. 照明系统：如LED路灯或高亮度照明设备的电源管理模块，支持高效率和高稳定性的运作。 4. 消费电子产品：如电视、音响等设备的电源部分，满足高效节能的需求。 5. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统等，适用于对可靠性和效率要求较高的绿色能源系统。 该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合通孔安装，广泛应用于各类中高功率电子设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STI25NM60ND |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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