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- 型号： STGW50HF60S
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STGW50HF60S产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STGW50HF60S由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STGW50HF60S价格参考以及STMicroelectronicsSTGW50HF60S封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STGW50HF60S参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有STGW50HF60S详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 25°C时Td（开/关）值 | 50ns/220ns |
| 产品目录 | |
| Current-CollectorPulsed(Icm) | 130A |
| 描述 | IGBT 600V 110A 284W TO247IGBT 晶体管 60A 600V Very Low Drop IGBT 600Vces |
| 产品分类 | IGBT - 单路分离式半导体 |
| GateCharge | 200nC |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF250286?referrer=70032480 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STGW50HF60S- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STGW50HF60S |
| SwitchingEnergy | 250µJ （开）， 4.2mJ （关） |
| TestCondition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 1.45V @ 15V，30A |
| 产品种类 | IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-11086-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL826/SC68/PF250286?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 284W |
| 功率耗散 | 284 W |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | - |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 110 A |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 栅极—射极漏泄电流 | +/- 100 nA |
| 标准包装 | 30 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 110A |
| 系列 | STGW50HF60S |
| 输入类型 | 标准 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.15 V |
