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- 型号： STG3P2M10N60B
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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STG3P2M10N60B产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STG3P2M10N60B由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供STG3P2M10N60B价格参考以及STMicroelectronicsSTG3P2M10N60B封装/规格参数等产品信息。 你可以下载STG3P2M10N60B参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有STG3P2M10N60B详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IGBT N-CHAN 600V 19A SEMITOP2IGBT 晶体管 1Phase Bridg Rctifir 3 phase invertr IGBT |
| 产品分类 | IGBT - 模块分离式半导体 |
| IGBT类型 | - |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,IGBT 晶体管,STMicroelectronics STG3P2M10N60BSEMITOP® |
| NTC热敏电阻 | 无 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STG3P2M10N60B |
| 不同 Vce时的输入电容(Cies) | 0.72nF @ 25V |
| 不同 Vge、Ic时的 Vce(on) | 2.5V @ 15V，7A |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | IGBT 晶体管 |
| 供应商器件封装 | SEMITOP®2 |
| 其它名称 | 497-5216 |
| 功率-最大值 | 56W |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 在25C的连续集电极电流 | 19 A |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SEMITOP®2 |
| 封装/箱体 | SEMITOP 2-8 |
| 工厂包装数量 | 15 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 栅极/发射极最大电压 | +/- 20 V |
| 标准包装 | 15 |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/tailless-600-v-igbt-v-series/51749 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 600V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 19A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 10µA |
| 系列 | STG3P2M10N |
| 输入 | 单相桥式整流器 |
| 配用 | /product-detail/zh/STEVAL-IHM011V1/497-8401-ND/1979275/product-detail/zh/STEVAL-IHM008V1/497-5512-ND/1175962 |
| 配置 | Hex |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 600 V |
