【STD5N20T4/规格参数】厂家_STD5N20T4中文资料_价格

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型号： STD5N20T4
制造商： STMicroelectronics
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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STD5N20T4产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供STD5N20T4由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供STD5N20T4价格参考￥询价-￥询价以及STMicroelectronicsSTD5N20T4封装/规格参数等产品信息。你可以下载STD5N20T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STD5N20T4详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 200V 5A DPAKMOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5 A
Id-连续漏极电流	5 A
品牌	STMicroelectronics
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STD5N20T4MESH OVERLAY™
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产品型号	STD5N20T4
Pd-PowerDissipation	45 W
Pd-功率耗散	45 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	700 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	700 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	30 ns
下降时间	10 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	350pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	27nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	800 毫欧 @ 2.5A，10V
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	D-Pak
其它名称	497-6563-1
其它有关文件	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1166/PF64588?referrer=70071840
功率-最大值	45W
包装	剪切带（CT）
商标	STMicroelectronics
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	4 S
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5A （Tc）
系列	STD5N20
通道模式	Enhancement
配置	Single