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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6N7002BFU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6N7002BFU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6N7002BFU,LF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM6N7002BFU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM6N7002BFU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM6N7002BFU,LF 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该型号适用于各种电源管理应用,例如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻特性有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动:可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,提供高效的开关性能以控制电机的速度和方向。 3. 信号切换:在需要高频信号切换的应用中表现良好,如音频设备中的电平转换或信号路由。 4. 负载开关:用于便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中的负载开关,能够快速响应并保护电路免受过流或其他异常情况的影响。 5. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,该 MOSFET 可用于防止过充、过放以及短路等问题,确保电池安全运行。 6. 数据通信设备:在网络路由器、交换机等通信设备中作为信号路径上的开关元件,支持高速数据传输的同时保持较低的功耗。 7. 消费类电子产品:广泛应用于各类消费级产品,比如家用电器、数码相机、游戏控制器等,为这些设备提供稳定可靠的开关功能。 总之,SSM6N7002BFU,LF 凭借其优异的电气特性和紧凑封装形式,在众多需要高效能、小体积解决方案的领域内具有广泛的应用前景。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 0.2A US6MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM6N7002BFU,LF- |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6N7002BFU点击此处下载产品Datasheet |
产品型号 | SSM6N7002BFU,LFSSM6N7002BFU,LF |
Pd-PowerDissipation | 300 mW |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.1 欧姆 @ 500mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | US6 |
其它名称 | SSM6N7002BFU,LF(T |
典型关闭延迟时间 | 14.5 ns |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Toshiba |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.3 Ohms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | TSSOP-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 200 mA |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |