图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SSM6J212FE(TE85L,F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6J212FE(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6J212FE(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6J212FE(TE85L,F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6J212FE(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6J212FE(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4A ES6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J212FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6J212FE(TE85L,F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 970pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40.7 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6J212FE(TE85LFTR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A （Ta） |
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