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Datasheet下载- 型号： SSM6J206FE(TE85L,F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SSM6J206FE(TE85L,F产品简介：
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH SGL 20V 2A ES6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.8V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6J206FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6J206FE(TE85L,F |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 335pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 130 毫欧 @ 1A，4V |
| 产品目录绘图 |
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| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6J206FE(TE85LFDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
