图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SSM3K36MFV(TL3,T)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K36MFV(TL3,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K36MFV(TL3,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K36MFV(TL3,T)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K36MFV(TL3,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K36MFV(TL3,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 500MA VESMMOSFET 20V VDSS 10V VGSS N-Ch 150mW PD |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.5V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 500 mA |
| Id-连续漏极电流 | 500 mA |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K36MFV(TL3,T)- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K36MFV点击此处下载产品Datasheet |
| 产品型号 | SSM3K36MFV(TL3,T)SSM3K36MFV(TL3,T) |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| Qg-GateCharge | 1.23 nC |
| Qg-栅极电荷 | 1.23 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.52 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.52 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.23nC @ 4V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 630 毫欧 @ 200mA，5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30223 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | VESM |
| 其它名称 | SSM3K36MFV(TL3T)CT |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-723 |
| 封装/箱体 | SOT-723-3 |
| 工厂包装数量 | 8000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 840 mS |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 500mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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