Datasheet下载- 型号： SSM3K335R,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K335R,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K335R,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K335R,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K335R,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K335R,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 340 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 30V 6A SOT-23FMOSFET N-Ch U-MOSVI FET ID 6A 30VDSS 340pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K335R |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K335R,LF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3K335R |
| 产品型号 | SSM3K335R,LFSSM3K335R,LF |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 2.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 56 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 56 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 2.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 38 毫欧 @ 4A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23F |
| 其它名称 | SSM3K335RLFCT |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-3 扁平引线 |
| 封装/箱体 | SOT-23F-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Ta） |
| 配置 | Single |
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