图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： SSM3K17SU,LF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3K17SU,LF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3K17SU,LF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3K17SU,LF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM3K17SU,LF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM3K17SU,LF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 50V 100MA USMMOSFET 50V VDS 7V VGSS 100mA ID 150mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and StorageToshiba |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba SSM3K17SU,LF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SSM3K17SU,LFSSM3K17SU,LF |
| Pd-PowerDissipation | 150 mW |
| Pd-功率耗散 | 150 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7pF @ 3V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 欧姆 @ 10mA，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | SSM3K17SULF |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100mA （Ta） |
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