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  • 型号: SSM3J35MFV(TL3,T)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SSM3J35MFV(TL3,T)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM3J35MFV(TL3,T)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM3J35MFV(TL3,T)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SSM3J35MFV(TL3,T)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM3J35MFV(TL3,T) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平栅极,1.2V 驱动

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM3J35MFV

产品图片

产品型号

SSM3J35MFV(TL3,T)

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

-

不同Vds时的输入电容(Ciss)

12.2pF @ 3V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 欧姆 @ 50mA,4V

供应商器件封装

VESM

其它名称

SSM3J35MFV(TL3T)CT

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SOT-723

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

100mA (Ta)

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