【未分类_SPP12N50C3XKSA1】封装/厂家_SPP12N50C3XKSA1中文资料_价格

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型号： SPP12N50C3XKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP12N50C3XKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP12N50C3XKSA1价格参考。InfineonSPP12N50C3XKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载SPP12N50C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPP12N50C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的SPP12N50C3XKSA1是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和高电压处理能力的领域，具体包括：

1. 电源管理：  
   适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC转换器等场景，能够提供高效的功率转换和稳定的电压输出。

2. 电机驱动：  
   用于工业自动化、家用电器（如空调、冰箱、洗衣机）中的电机控制，支持高效启动、调速和保护功能。

3. 逆变器：  
   在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）和其他电力逆变设备中，作为核心功率开关器件，实现直流到交流的高效转换。

4. 负载切换：  
   用于汽车电子、通信设备和消费电子中的负载切换电路，确保快速响应和低损耗。

5. 电磁兼容性（EMC）优化：  
   由于其设计特性，适合需要低电磁干扰的环境，例如医疗设备和精密仪器。

6. 高压应用：  
   支持高达500V的漏源极电压（VDS），使其适用于高压系统，如电动汽车充电站和高压工业设备。

综上所述，SPP12N50C3XKSA1凭借其高性能和可靠性，广泛应用于各类电力电子设备中，满足不同行业的功率转换和控制需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	11.6 A
Id-连续漏极电流	11.6 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP12N50C3XKSA1
产品型号	SPP12N50C3XKSA1
Pd-PowerDissipation	125 W
Pd-功率耗散	125 W
Qg-GateCharge	49 nC
Qg-栅极电荷	49 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	380 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	380 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	560 V
Vds-漏源极击穿电压	560 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	8 ns
下降时间	8 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	45 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	Through Hole
封装	Tube
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
正向跨导-最小值	8 S
系列	SPP12N50
配置	Single
零件号别名	SP000681048