【SPB12N50C3/规格参数】厂家_SPB12N50C3中文资料_价格

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SPB12N50C3
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SPB12N50C3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SPB12N50C3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。提供SPB12N50C3价格参考以及InfineonSPB12N50C3封装/规格参数等产品信息。你可以下载SPB12N50C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPB12N50C3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-263MOSFET COOL MOS N-CH 560V 11.6A
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	11.6 A
品牌	Infineon Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPB12N50C3CoolMOS™
数据手册	http://www.infineon.com/dgdl/SPB12N50C3_Rev.2.4.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42cee0447d4
产品型号	SPB12N50C3
Pd-PowerDissipation	125 W
Pd-功率耗散	125 W
RdsOn-漏源导通电阻	380 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	500 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	8 ns
下降时间	8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	3.9V @ 500µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	49nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	380 毫欧 @ 7A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PG-TO263-3
其它名称	SPB12N50C3INDKR
典型关闭延迟时间	45 ns
功率-最大值	125W
包装	Digi-Reel®
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	380 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	1000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	500 V
漏极连续电流	11.6 A
漏源极电压(Vdss)	560V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	11.6A （Tc）
系列	SPB12N50
通道模式	Enhancement
配置	Single
零件号别名	SP000014894 SPB12N50C3ATMA1

样品试用

万种样品免费试用

去申请